日本furukawa氮化铝陶瓷零件半导体制造设备

日本furukawa氮化铝陶瓷零件半导体制造设备 FAN-090/FAN-170/FAN-200

半导体制造设备（用于前端工艺）需要应对更小的设计规则和更大的晶圆直径（300mmφ或更大）。为此，构成设备的部件材料的选择极其重要。

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详细介绍

日本furukawa氮化铝陶瓷零件半导体制造设备 FAN-090/FAN-170/FAN-200 特点介绍

半导体制造设备（用于前端工艺）需要应对更小的设计规则和更大的晶圆直径（300mmφ或更大）。为此，构成设备的部件材料的选择极其重要。

氮化铝（AlN）是一种平衡良好的材料，具有优异的导热性、热辐射（散热）、抗热震性和电绝缘性，并且具有与硅晶片相匹配的热膨胀性。

利用古河电子的烧成技术，我们还能够制造550mmφ氮化铝陶瓷部件。我们还将应对更大直径的晶圆。

具有高导热率和热发射率，受热均匀性高。

它具有抗热冲击能力，可以承受快速加热和冷却。

与硅相匹配的低热膨胀。

对氟气具有优异的耐腐蚀性。

日本furukawa氮化铝陶瓷零件半导体制造设备 FAN-090/FAN-170/FAN-200 规格参数

半导体制造装置（CVD、蚀刻等）用各种基座、静电吸盘、均热板、真空吸盘、加热器

虚拟晶圆

目标

化合物半导体制造设备零部件

･熱伝導・熱放射率が大きく、均熱性が高い。･熱衝撃に強く、急熱・急冷に耐える。･Si にマッチした低熱膨張で、温度変化によるウェーハの変形を防ぎ、また、デポ膜の剥離によるパーティクル発生を低減する。･フッ素系ガス耐食性に優れる。

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