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日本MARUWA高纯氮化铝高电绝缘性半导体封装 ANF-A / ANF-S系列利用陶瓷基板技术开发出的高导热填料，体现了氮化铝（AlN）其材料本身具有的性能，源于精益求精的高品质材料以及成熟的一体化生产体系，并基于其稳定性与高导热率，可以大大期待提高树脂等产品的导热性能。 产品广泛用于导热胶，导热垫片等导热材料（TIM）产品，以及金属基板涂层，半导体封装等领域。
产品型号：ANF-A / ANF-S系列厂商性质：经销商更新时间：2024-10-13访 问 量：173
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日本MARUWA高纯氮化铝高电绝缘性半导体封装 ANF-A / ANF-S系列 特点介绍
利用陶瓷基板技术开发出的高导热填料，体现了氮化铝（AlN）其材料本身具有的性能，
源于精益求精的高品质材料以及成熟的一体化生产体系，并基于其稳定性与高导热率，可以大大期待提高树脂等产品的导热性能。
产品广泛用于导热胶，导热垫片等导热材料（TIM）产品，以及金属基板涂层，半导体封装等领域。
日本MARUWA高纯氮化铝高电绝缘性半导体封装 ANF-A / ANF-S系列 规格参数
ANF-A 系列
粒度分布范围窄
等方状颗粒
高纯度
ANF-S 系列
颗粒形状接近于球形
粒度分布范围窄
高填充率
高热导率（约为氧化铝粉填料的7倍）
高电绝缘性
项目 单位 A-Series S-Series
A-01-F A-05-F S-30 S-50 S80
松密度 g/㎤ 0.36 0.66 1.50 1.65 1.65
热导率 W/mK 180 ~ 200
电气绝缘性 Ω/㎝ >1014
热膨胀系数 X10-6/°C 4 ~ 5
颗粒形状 - 等方形状 球形
利用陶瓷基板技术开发出的高导热填料，体现了氮化铝（AlN）其材料本身具有的性能，
源于精益求精的高品质材料以及成熟的一体化生产体系，并基于其稳定性与高导热率，可以大大期待提高树脂等产品的导热性能。
产品广泛用于导热胶，导热垫片等导热材料（TIM）产品，以及金属基板涂层，半导体封装等领域。
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